SCK-MSII-250 高真空多靶磁控濺射鍍膜機 濺射真空室、永磁磁控濺射靶、直流電源、全自動(dòng)匹配射頻電源、樣品臺、樣品加熱爐、泵抽系統、真空測量系統、氣路系統、電控系統等組成。用途:可用于開(kāi)發(fā)納米級的單層及多層功能膜和復合膜,可鍍金屬、合金、化合物、半導體、陶瓷膜、介質(zhì)復合膜等。
SCK-MSII-250 高真空多靶磁控濺射鍍膜機 濺射真空室、永磁磁控濺射靶、直流電源、全自動(dòng)匹配射頻電源、樣品臺、樣品加熱爐、泵抽系統、真空測量系統、氣路系統、電控系統等組成。用途:可用于開(kāi)發(fā)納米級的單層及多層功能膜和復合膜,可鍍金屬、合金、化合物、半導體、陶瓷膜、介質(zhì)復合膜等。
產(chǎn)品名稱(chēng): 高真空多功能雙靶(永磁靶)磁控濺射鍍膜系統
產(chǎn)品型號:SCK-MSII-250
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
SCK-MSII-250高真空多靶磁控濺射鍍膜機 濺射真空室、永磁磁控濺射靶、直流電源、全自動(dòng)匹配射頻電源、樣品臺、樣品加熱爐、泵抽系統、真空測量系統、氣路系統、電控系統等組成。 用途:可用于開(kāi)發(fā)納米級的單層及多層功能膜和復合膜,可鍍金屬、合金、化合物、半導體、陶瓷膜、介質(zhì)復合膜等。
技術(shù)參數
1.真空 腔室 | 1.φ350×H350mm,SUS304優(yōu)質(zhì)不銹鋼真空腔室,上開(kāi)門(mén)結構,頂板焊水線(xiàn); 2. 真空室腔體參考尺寸410x520x290mm方箱結構,前有2個(gè)觀(guān)察窗,樣品臺加熱旋轉、真空規、放氣閥等各種規格的法蘭接口,選用優(yōu)質(zhì)不銹鋼材料制造,氬弧焊接,表面采用電解拋光處理。采用金屬或氟橡膠圈密封。配備一體機柜標準電箱。 3. 靶安裝在上蓋,基片轉臺在下法蘭。 |
2.真空 系統 | 復合分子泵+直聯(lián)高速旋片式真空泵+高真空閥門(mén)+數顯復合真空計; |
3.真空 極限 | 6.6×10-5Pa(設備空載,抽真空24小時(shí)); |
4.升壓率 | 設備升壓率:≤0.8Pa/h(12小時(shí)平均值); |
5.抽速 | 從大氣抽至5.0×10-3Pa≤15min(設備空載); |
6.工作氣路系統 | 質(zhì)量流量控制器及量程范圍:Ar,100sccm;N2,20sccm; |
7.膜厚不均勻性 | ≤±5%(單靶鍍膜,基片臺Φ75mm范圍內); |
8.基片臺 | ①基片臺尺寸Φ100mm,最大樣品尺寸小于Φ100mm; ②旋轉轉速0~30轉/分鐘,可調可控; ③樣品臺:加熱溫度0~300±1℃(基片臺環(huán)境溫度) ; |
9.濺射靶及電源 | ①配置2套2英寸永磁共焦磁控濺射靶(高度手動(dòng)可調),向下濺射;磁控靶配有手動(dòng)擋板結構; ②工作方式:各靶可獨立/順次/共同工作,采用磁控靶從上向下濺射鍍膜; ③電源: 直流濺射電源500W,數字化控制及顯示,1臺; 自動(dòng)調諧射頻電源RF300W, 數字化控制及顯示,1臺; |
10.控制方式 | PLC+觸摸屏控制; |
11.報警及保護 | 對缺水進(jìn)行報警并執行相應保護措施;完善的邏輯程序互鎖保護系統; |
標準配件
序號/部件名稱(chēng) | 型號/參數 |
1. 真空室組件上焊有各種規格的法蘭接口 | 1. CF100法蘭接口:1個(gè)(觀(guān)察窗口); CF63法蘭接口:1個(gè)(觀(guān)察窗口); 2. CF16法蘭接口:2個(gè)(1路進(jìn)氣管路、放氣閥); 3. CF200法蘭接口:1個(gè)(接分子泵); 4. RF20法蘭接口:2個(gè)(用來(lái)安裝磁控靶和靶擋板); 5. CF100法蘭接口:1個(gè)(用來(lái)安裝樣品臺); 6. CF35法蘭接口:5個(gè)(接高真空電離規管、旁抽口、陶封引線(xiàn),備用2個(gè)); 7. CF16法蘭接口:2個(gè)(備用)。 |
2. 旋轉基片臺 1套 | 1. 基片尺寸和數量:直徑≤180 mm,數量≥1片; 2. 水冷區域為180mm,基片溫度:室溫~40°C±1°C,由熱電偶閉環(huán)反饋控制,可控可調,可絕緣密封承受-1000 V高壓; 3. 基片公轉由調速電機驅動(dòng),0~30 轉/分連續可調(轉動(dòng)速度); 4. 進(jìn)口SMC轉角氣缸樣品擋板組件 1套; 5. 基片臺定位精度(X/Y/Z軸):≤±10μm ; 6. 重復定位精度(X/Y/Z軸):≤±/5μm; 7. 移動(dòng)速度(X/Y/Z軸):≥200/200/80mm/s ; 8. A軸擺動(dòng)行程:≥+/-60°; 9. C軸旋轉行程:0-360°。溫,速率、保持溫度、保持時(shí)間;通過(guò)熱電偶的反饋信號,實(shí)現加熱溫度自動(dòng)控制; |
3. 磁控濺射系統 2套 | 1. 靶材尺寸:Ф100mm; 2. 提供試用靶材:鈦和銅測試靶材各≥1塊; 3. 永磁靶2套,2套靶對射頻濺射與直流濺射均兼容,靶內水冷; 4. 進(jìn)口SMC旋轉氣動(dòng)控制擋板組件:3套; 5. 靶在上,向下向心濺射,共焦磁控濺射靶(濺射靶角度可調),分布在一個(gè)圓周上,各靶可獨立/順次/共同工作; 6. RF300W全自動(dòng)調諧射頻電源1臺; 7. 500 W脈沖直流電源1臺; 8 -1000 V脈沖偏壓直流電源1臺; 9 靶基距60~110 mm可調,可手動(dòng)連續調節;兩靶共濺射,靶可擺角度,角度為0~35℃。 |
4. 窗口及法蘭接口部件 1套 | 1. CF100玻璃窗口:1塊;CF63玻璃窗口:1塊; 2. CF35陶瓷封接引線(xiàn)法蘭:2個(gè)(照明及內烘烤引線(xiàn)); 3.盲法蘭:CF16:1個(gè);CF35:2個(gè)。 |
5. 工作氣路 1套 | 1. 包含2路100 SCCM氬、20 SCCM氧流量控制器、CF16電動(dòng)截止閥、管路、接頭等,包含3路KF16氣動(dòng)充氣閥、DN6電動(dòng)截止閥、管路、接頭等; |
6. 抽氣機組及閥門(mén)、管道 1套 | 1. 復合分子泵及變頻控制電源:1臺(FF200/1300,1300 L/s,); 2. 機械泵: 1臺(≥14 L/s,); 3. KF40氣動(dòng)角閥:2臺; 4. 機械泵與真空室之間的旁抽管路:1套; 5. CF200電動(dòng)閘板閥:1臺(用于復合分子泵與真空室隔離); 6. KF16氣動(dòng)角閥:2臺; 7. 壓差式充氣閥:1臺。 |
7. 安裝機臺架組件 1套 | 采用分體設計機架,四周快卸圍板表面噴塑處理;四只承載腳輪,可固定,可移動(dòng)。 |
8. 真空測量 1套 | 1. 濺射室真空度采用復合真空計進(jìn)行測量(量程1×105 Pa~1×10-7 Pa); 2. 鍍膜采用薄膜規進(jìn)行測量(精度 0.5%); |
9. 系統采用PLC控制方式 | 1. 在實(shí)驗鍍膜模式情況下,可實(shí)現一鍵啟動(dòng)抽空到達工作真空度后,手動(dòng)進(jìn)行鍍膜參數設置,實(shí)驗結束后一鍵自動(dòng)充氣,此時(shí)系統處于開(kāi)環(huán)控制狀態(tài); 2. 系統提供計算機實(shí)時(shí)通訊,顯示記錄真空度以及加熱溫度PID調節設定; 3. 系統提供計算機實(shí)時(shí)通訊,設定顯示直流電源、射頻電源功率參數調整,氣體流量控制調節,制定工藝菜單及自動(dòng)記錄設定各項工藝參數存儲; 4. 系統提供計算機MFC的工藝氣體穩壓控制調節; 5. 計算機設定顯示擋板狀態(tài)、樣品轉速等。 |
10.備品備件 1套: | CF16銅圈2個(gè)、CF35銅圈3個(gè)、CF200銅圈1個(gè)、M4/M6/M8螺母、螺釘各10組,KF40卡套2個(gè)、6mm不銹鋼管2米,LED燈2個(gè),轉動(dòng)部件常用膠圈若干。 |
11.整體性能要求 | 1 濺射室極限真空度:≤6.0×10-6 Pa (經(jīng)烘烤除氣后); 2系統真空檢漏漏率:≤5.0×10-7 Pa.L/S; 3系統從大氣開(kāi)始抽氣:濺射室25分鐘可達到7.0×10-4 Pa; 4系統停泵關(guān)機12小時(shí)后真空度:≤2 Pa; 5濺射樣品片內膜厚不均勻度:≤ ±3%(同一樣品中心直徑75 mm范圍內隨機取膜厚測試點(diǎn),≥5個(gè)測試點(diǎn)); 6濺射樣品片間膜厚不均勻度:≤ ±3%(不同樣品中心直徑75 mm范圍內隨機取膜厚測試點(diǎn),不同批次樣品總數≥5個(gè),每個(gè)樣品上≥2個(gè)測試點(diǎn))。 |
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