該設備為臺式磁控濺射鍍膜機，主要特點(diǎn)是設備體積小，結構簡(jiǎn)單緊湊，操作方便，對實(shí)驗室電源要求低；該系列設備的主要部件采用進(jìn)口或國產(chǎn)優(yōu)化配置，從而提高了設備的穩定性；此外，自主研發(fā)的智能操作系統在設備的重復性和安全性方面得到了更好的保證。
該設備配備2臺PC作為標準Φ2英寸永磁靶，1臺500W直流濺射電源（用于濺射金屬導電材料），1臺300W全自動(dòng)匹配射頻濺射電源（適用于濺射絕緣材料），主要用于開(kāi)發(fā)納米級單層和多層金屬導電膜、半導體膜和絕緣膜。
產(chǎn)品名稱(chēng)： 高真空雙靶磁控濺射鍍膜儀
產(chǎn)品型號：SCK-MSII-200
產(chǎn)品簡(jiǎn)介
該設備為臺式磁控濺射鍍膜機，主要特點(diǎn)是設備體積小，結構簡(jiǎn)單緊湊，操作方便，對實(shí)驗室電源要求低；該系列設備的主要部件采用進(jìn)口或國產(chǎn)優(yōu)化配置，從而提高了設備的穩定性；此外，自主研發(fā)的智能操作系統在設備的重復性和安全性方面得到了更好的保證。
該設備配備2臺PC作為標準Φ2英寸永磁靶，1臺500W直流濺射電源（用于濺射金屬導電材料），1臺300W全自動(dòng)匹配射頻濺射電源（適用于濺射絕緣材料），主要用于開(kāi)發(fā)納米級單層和多層金屬導電膜、半導體膜和絕緣膜。
技術(shù)參數
1.真空 腔室 | 1.φ350×H350mm，SUS304優(yōu)質(zhì)不銹鋼真空腔室，上開(kāi)門(mén)結構，頂板焊水線(xiàn)； 2. 真空室腔體參考尺寸410x520x290mm方箱結構，前有2個(gè)觀(guān)察窗，樣品臺加熱旋轉、真空規、放氣閥等各種規格的法蘭接口，選用優(yōu)質(zhì)不銹鋼材料制造，氬弧焊接，表面采用電解拋光處理。采用金屬或氟橡膠圈密封。配備一體機柜標準電箱。 3. 靶安裝在上蓋，基片轉臺在下法蘭。 |
2.真空 系統 | 復合分子泵+直聯(lián)高速旋片式真空泵+高真空閥門(mén)+數顯復合真空計； |
3.真空 極限 | 6.6×10-5Pa（設備空載，抽真空24小時(shí)）; |
| 4.升壓率 | 設備升壓率：≤0.8Pa/h（12小時(shí)平均值）； |
| 5.抽速 | 從大氣抽至5.0×10-3Pa≤15min（設備空載）； |
| 6.工作氣路系統 | 質(zhì)量流量控制器及量程范圍：Ar，100sccm；N2，20sccm； |
| 7.膜厚不均勻性 | ≤±5%（單靶鍍膜，基片臺Φ75mm范圍內）； |
| 8.基片臺 | ①基片臺尺寸Φ100mm，最大樣品尺寸小于Φ100mm； ②旋轉轉速0～30轉/分鐘，可調可控； ③樣品臺:加熱溫度0～300±1℃（基片臺環(huán)境溫度） ； |
| 9.濺射靶及電源 | 1.配置1套2英寸永磁共焦磁控濺射靶（濺射靶角度、高度手動(dòng)可調），向下濺射；磁控靶配有氣動(dòng)擋板結構； 2.工作方式：各靶可獨立/順次/共同工作，采用磁控靶從上向下濺射鍍膜； 3.電源： 直流脈沖濺射電源500W，數字化控制及顯示，1臺； 自動(dòng)調諧射頻電源RF300W， 數字化控制及顯示，1臺； 脈沖偏壓電源：-1kV， 數字化控制及顯示，1臺。 |
標準配件
| 序號/部件名稱(chēng) | 型號/參數 |
| 1. 真空室組件上焊有各種規格的法蘭接口 | 1. CF100法蘭接口：1個(gè)（觀(guān)察窗口）； CF63法蘭接口：1個(gè)（觀(guān)察窗口）； 2. CF16法蘭接口：2個(gè)（1路進(jìn)氣管路、放氣閥）； 3. CF200法蘭接口：1個(gè)（接分子泵）； 4. RF20法蘭接口：2個(gè)（用來(lái)安裝磁控靶和靶擋板）； 5. CF100法蘭接口：1個(gè)（用來(lái)安裝樣品臺）； 6. CF35法蘭接口：5個(gè)（接高真空電離規管、旁抽口、陶封引線(xiàn),備用2個(gè)）； 7. CF16法蘭接口：2個(gè)（備用）。 |
| 2. 旋轉基片臺 1套 | 1. 基片尺寸和數量：直徑≤180 mm，數量≥1片； 2. 水冷區域為180mm，基片溫度：室溫～40°C±1°C，由熱電偶閉環(huán)反饋控制，可控可調，可絕緣密封承受-1000 V高壓； 3. 基片公轉由調速電機驅動(dòng)，0～30 轉/分連續可調（轉動(dòng)速度）； 4. 進(jìn)口SMC轉角氣缸樣品擋板組件 1套； 5. 基片臺定位精度(X/Y/Z軸)：≤±10μm ； 6. 重復定位精度(X/Y/Z軸)：≤±/5μm； 7. 移動(dòng)速度(X/Y/Z軸)：≥200/200/80mm/s ； 8. A軸擺動(dòng)行程：≥+/-60°； 9. C軸旋轉行程：0-360°。溫,速率、保持溫度、保持時(shí)間；通過(guò)熱電偶的反饋信號，實(shí)現加熱溫度自動(dòng)控制； |
| 3. 磁控濺射系統 2套 | 1. 靶材尺寸：Ф100mm； 2. 提供試用靶材：鈦和銅測試靶材各≥1塊； 3. 永磁靶2套，2套靶對射頻濺射與直流濺射均兼容，靶內水冷； 4. 進(jìn)口SMC旋轉氣動(dòng)控制擋板組件：3套； 5. 靶在上，向下向心濺射，共焦磁控濺射靶（濺射靶角度可調），分布在一個(gè)圓周上，各靶可獨立/順次/共同工作； 6. RF300W全自動(dòng)調諧射頻電源1臺； 7. 500 W脈沖直流電源1臺； 8 -1000 V脈沖偏壓直流電源1臺； 9 靶基距60～110 mm可調，可手動(dòng)連續調節；兩靶共濺射，靶可擺角度，角度為0～35℃。 |
| 4. 窗口及法蘭接口部件 1套 | 1. CF100玻璃窗口：1塊；CF63玻璃窗口：1塊； 2. CF35陶瓷封接引線(xiàn)法蘭：2個(gè)（照明及內烘烤引線(xiàn)）； 3.盲法蘭：CF16：1個(gè)；CF35：2個(gè)。 |
| 5. 工作氣路 1套 | 1. 包含2路100 SCCM氬、20 SCCM氧流量控制器、CF16電動(dòng)截止閥、管路、接頭等，包含3路KF16氣動(dòng)充氣閥、DN6電動(dòng)截止閥、管路、接頭等； |
| 6. 抽氣機組及閥門(mén)、管道 1套 | 1. 復合分子泵及變頻控制電源：1臺（FF200/1300，1300 L/s，）； 2. 機械泵： 1臺（≥14 L/s，）； 3. KF40氣動(dòng)角閥：2臺； 4. 機械泵與真空室之間的旁抽管路：1套； 5. CF200電動(dòng)閘板閥：1臺（用于復合分子泵與真空室隔離）； 6. KF16氣動(dòng)角閥：2臺； 7. 壓差式充氣閥：1臺。 |
| 7. 安裝機臺架組件 1套 | 采用分體設計機架，四周快卸圍板表面噴塑處理；四只承載腳輪，可固定，可移動(dòng)。 |
| 8. 真空測量 1套 | 1. 濺射室真空度采用復合真空計進(jìn)行測量（量程1×105 Pa～1×10-7 Pa）； 2. 鍍膜采用薄膜規進(jìn)行測量（精度 0.5%）； |
| 9. 系統采用PLC控制方式 | 1. 在實(shí)驗鍍膜模式情況下，可實(shí)現一鍵啟動(dòng)抽空到達工作真空度后，手動(dòng)進(jìn)行鍍膜參數設置，實(shí)驗結束后一鍵自動(dòng)充氣，此時(shí)系統處于開(kāi)環(huán)控制狀態(tài)； 2. 系統提供計算機實(shí)時(shí)通訊，顯示記錄真空度以及加熱溫度PID調節設定； 3. 系統提供計算機實(shí)時(shí)通訊，設定顯示直流電源、射頻電源功率參數調整，氣體流量控制調節，制定工藝菜單及自動(dòng)記錄設定各項工藝參數存儲； 4. 系統提供計算機MFC的工藝氣體穩壓控制調節； 5. 計算機設定顯示擋板狀態(tài)、樣品轉速等。 |
| 10.備品備件 1套： | CF16銅圈2個(gè)、CF35銅圈3個(gè)、CF200銅圈1個(gè)、M4/M6/M8螺母、螺釘各10組，KF40卡套2個(gè)、6mm不銹鋼管2米，LED燈2個(gè)，轉動(dòng)部件常用膠圈若干。 |
| 11.整體性能要求 | 1 濺射室極限真空度：≤6.0×10-6 Pa (經(jīng)烘烤除氣后)； 2系統真空檢漏漏率：≤5.0×10-7 Pa.L/S； 3系統從大氣開(kāi)始抽氣：濺射室25分鐘可達到7.0×10-4 Pa； 4系統停泵關(guān)機12小時(shí)后真空度：≤2 Pa； 5濺射樣品片內膜厚不均勻度：≤ ±3%（同一樣品中心直徑75 mm范圍內隨機取膜厚測試點(diǎn)，≥5個(gè)測試點(diǎn)）； 6濺射樣品片間膜厚不均勻度：≤ ±3%（不同樣品中心直徑75 mm范圍內隨機取膜厚測試點(diǎn)，不同批次樣品總數≥5個(gè)，每個(gè)樣品上≥2個(gè)測試點(diǎn)）。 |
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